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71.
72.
一种新型递减曲线的简单求法与应用 总被引:2,自引:2,他引:0
通过对油气藏产量递减的研究、线性最优化方法的分析研究及文献[1]提出的这种新型递减曲线的研究,提出了解这种方程的一个简单求法。通过现场的实例应用表明:提出的方法具有简单、方便、方法可靠的优点。采用此方法时,产量不以年为单位而是以月为单位进行计算,这将使计算更准确、更合理。 相似文献
73.
74.
In this work it is presented a study on the residence time distribution (RTD) of particles in a co-current pilot-plant spray dryer operated with a rotary atomization system. A nuclear technique is applied to investigate the RTD responses of spray dryers. The methodology is based on the injection of a radioisotope tracer in the feed stream followed by the monitoring of its concentration at the outlet stream. The experiments were performed during the drying of aqueous suspensions of gadolinium oxide. The RTD responses obtained experimentally presented good reproducibility, indicating that the technique applied is well suited to investigating fluid-dynamics of spray dryers. In addition to the experimental investigation, a mathematical model was used to describe the RTD experimental curves. 相似文献
75.
76.
硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析 总被引:5,自引:2,他引:3
基于参数化的计算机辅助设计(CAD)软件,对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模,以有限元分析软件为工具,进行了谐振器的模态分析,静态分析和谐响应分析,初步揭示了谐振器的静、动态特性,有助于改善设计效率和质量,展示了计算机辅助工程(CAE)技术在微机电系统(MEMS)研究中的重要作用。 相似文献
77.
该文介绍了在山区长输气管线测量中 ,管线的折点桩之间大部分不通视且部分点上空有障碍物 ,采用GPS不能施测坐标时 ,结合山区的自然地理条件 ,采用全站仪间接施测折点水平角 ,极坐标法测设曲线以及跨越障碍物测设曲线的内容和方法 ,可在一定精度要求下应用 相似文献
78.
报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器,用于双波长稳频CO2激光器的控制得到令人满意的结果。 相似文献
79.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献
80.
中国古典园林三维造型研究 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了采用层次结构化及参数化三维造型方法,建立一个以造型函数库为核心,从而构造各类、各级园林景观构件表面模型的方法和过程。对于某些非建筑类的园林配景构件,采用了Fractal方法进行造型。 相似文献